高真空雙靶磁控濺射鍍膜儀是一種集高真空技術(shù)與磁控濺射技術(shù)于一體的薄膜制備設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)、微電子、新能源材料及科研教學(xué)等領(lǐng)域。該設(shè)備通過在高真空環(huán)境中利用氬離子轟擊靶材，使靶材原子濺射并沉積在基片上形成高質(zhì)量薄膜，具備成膜純度高、致密性強(qiáng)、附著力好等優(yōu)點(diǎn)。
高真空雙靶磁控濺射鍍膜儀主要由以下系統(tǒng)組成：
真空腔體：通常采用不銹鋼材質(zhì)，內(nèi)尺寸常見為直徑210mm×高270mm，確保良好的密封性和耐腐蝕性。
雙靶磁控濺射系統(tǒng)：配置兩個(gè)獨(dú)立靶位(直流/射頻可選)，可安裝不同材料的靶材，在不破真空條件下實(shí)現(xiàn)多層膜或合金膜的連續(xù)沉積。
抽真空系統(tǒng)：由機(jī)械泵和分子泵組成，極限真空可達(dá)5×10??Pa量級(jí)，部分型號(hào)可達(dá)9.9×10??Pa，提供潔凈穩(wěn)定的鍍膜環(huán)境。
樣品臺(tái)：支持200mm直徑樣品旋轉(zhuǎn)，配備水冷或加熱功能，提升膜層均勻性與結(jié)合力。
電源系統(tǒng)：標(biāo)配3kW直流電源，可選配射頻電源，適應(yīng)金屬、氧化物、陶瓷等多種靶材的濺射需求。
其工作原理基于E×B漂移效應(yīng)：在正交電磁場作用下，電子被束縛在靶材表面附近做擺線運(yùn)動(dòng)，延長與氣體分子的碰撞時(shí)間，提高等離子體密度和濺射效率，同時(shí)降低基片溫升，適用于熱敏感材料鍍膜。
應(yīng)用領(lǐng)域
微電子 / 半導(dǎo)體：沉積金屬電極(Al、Cu)、擴(kuò)散阻擋層(TaN)、柵介質(zhì)；
光學(xué)薄膜：增透膜、反射鏡、濾光片；
表面工程：刀具 / 模具的 TiN、CrN 耐磨涂層；
功能材料研發(fā)：超導(dǎo)、鐵電、磁電阻、透明導(dǎo)電膜(ITO)；
傳感器與新能源：電池極片涂層、氣敏薄膜、生物兼容薄膜。
更新時(shí)間：2026-03-10
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當(dāng)前位置：
電鏡樣品制備